IXGQ35N120BD1
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IXGQ35N120BD1参数：IGBT 1200V 75A FRD TO-3P

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.3V @ 15V，35A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：75A
Current - Collector Pulsed (Icm)：200A
功率 - 最大值：400W
Switching Energy：900µJ（开），3.8mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：140nC
Td (on/off) A 25°C：40ns/270ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：40ns
封装：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P