IXGQ85N33PCD1
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IXGQ85N33PCD1参数：IGBT W/FAST REC DIODE TO-3P

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：Polar™
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：330V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.1V @ 15V，50A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：85A
Current - Collector Pulsed (Icm)：340A
功率 - 最大值：150W
Switching Energy：-
输入类型：标准
Gate Charge：80nC
Td (on/off) A 25°C：20ns/87ns
Test Condition：240V，50A，5 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：250ns
封装：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P