IXGQ20N120BD1
PDF资料下载

IXGQ20N120BD1参数：IGBT 1200V FRD TO-3P

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：-
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.4V @ 15V，20A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：40A
Current - Collector Pulsed (Icm)：100A
功率 - 最大值：190W
Switching Energy：2.1mJ（关）
输入类型：标准
Gate Charge：62nC
Td (on/off) A 25°C：20ns/270ns
Test Condition：-
反向恢复时间 (trr)：40ns
封装：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P