ZXMN10B08E6TA
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ZXMN10B08E6TA参数：MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它图纸： SOT-23-6PinOut
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：230毫欧@1.6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.2nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：497pF@50V
功率-最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-23-6