ZXMN10B08E6TC
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ZXMN10B08E6TC参数：MOSFET N-CHAN 100V SOT23-6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：230 毫欧 @ 1.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：9.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：497pF @ 50V
功率 - 最大值：1.1W
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6
供应商器件封装：SOT-23-6