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TIS75参数：JFET N-CHANNEL TO-92
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：2,000系列：-包装：散装不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：8mA @ 15V漏源极电压 (Vdss)：-漏极电流 (Id) - 最大值：-FET 类型：N 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：800mV @ 4nA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：18pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）：60 欧姆安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商器件封装：TO-92-3功率 - 最大值：350mW
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