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STI16N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STI16N65M5ViewAllSpecifications标准包装：50系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：279毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1250pF@100V功率-最大值：90W安装类型：通孔封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA供应商器件封装：I2PAK
