STI14NM50N
PDF资料下载

STI14NM50N参数：MOSFET N CH 500V 12A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STI14NM50NViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：Mdmesh™II
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：320毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：27nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：816pF@50V
功率-最大值：90W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3（直引线）
供应商器件封装：I2PAK