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SSM6J51TU(TE85L,F)参数：MOSFET P-CH 12V 4A UF6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： UF6Top UF6Side标准包装：3,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动漏源极电压(Vdss)：12V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：54毫欧@2A，2.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-不同Vds时的输入电容(Ciss)：1700pF@10V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：6-SMD，扁平引线供应商器件封装：UF6
