SSM6J51TU(TE85L,F)
PDF资料下载

SSM6J51TU(TE85L,F)参数：MOSFET P-CH 12V 4A UF6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： SmallSignalMOSFET
产品目录绘图： UF6Top UF6Side
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：54毫欧@2A，2.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1700pF@10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：6-SMD，扁平引线
供应商器件封装：UF6