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SSM6J212FE(TE85L,F参数：MOSFET P-CH 20V 4A ES6
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： SmallSignalMOSFET产品目录绘图： ES6Top ES6Side标准包装：4,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动漏源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40.7毫欧@3A，4.5V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14.1nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：970pF@10V功率-最大值：500mW安装类型：表面贴装封装：SOT-563，SOT-666供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）
