SSM6J212FE,LF
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SSM6J212FE,LF参数：MOSFET P CH 20A 4A ES6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40.7 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：970pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：ES6