SSM3K15CT(TPL3)
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SSM3K15CT(TPL3)参数：MOSFET N-CH SGL 30V 0.1A CST3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： CST3Bottom CST3Side
标准包装：10,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4欧姆@10mA，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：7.8pF@3V
功率-最大值：100mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-101，SOT-883
供应商器件封装：CST3（1.0x0.6）