SSM3K106TU(TE85L)
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SSM3K106TU(TE85L)参数：MOSFET N-CH SGL 20V 1.2A UFM

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： UFMTop UFMSide
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，4V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：310毫欧@600mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.3V@100µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：36pF@10V
功率-最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：UFM（2.0x2.1）