RUR020N02TL
PDF资料下载

RUR020N02TL参数：MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，1.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：180pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：SC-96
供应商器件封装：TSMT3