RUQ050N02TR
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RUQ050N02TR参数：MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TSMT-6PackageTop
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，1.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：12nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@10V
功率-最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：SOT-23-6细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：TSMT6