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PMFPB8032XP,115参数：MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 沟道肖特基，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：102 毫欧 @ 2.7A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 10V
功率 - 最大值：485mW
安装类型：表面贴装
封装：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-HUSON（2X2）