PMFPB6532UP,115
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PMFPB6532UP,115参数：MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：二极管（隔离式）
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.5A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 10V
功率 - 最大值：1.25W
安装类型：表面贴装
封装：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-HUSON（2X2）