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PMDPB30XN,115参数：MSOFET N-CH DUAL 20V 6HUSON
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：40 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21.7nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：660pF @ 10V功率 - 最大值：490mW安装类型：表面贴装封装：6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装：6-HUSON（2X2）
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