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PMDPB42UN,115参数：MOSFET N-CH 20V DUAL HUSON6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 3.9A， 4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：185pF @ 10V
功率 - 最大值：510mW
安装类型：*
封装：6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-HUSON（2X2）