PMBFJ620,115
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PMBFJ620,115参数：JFET N-CHAN DUAL 25V 6TSSOP

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：24mA @ 10V
漏源极电压 (Vdss)：25V
漏极电流 (Id) - 最大值：-
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：25V
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2V @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5pF @ 10V
电阻 - RDS（开）：50 欧姆
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：6-TSSOP
功率 - 最大值：190mW