PMBFJ176,215参数：JFET P-CHAN 30V SOT-23
类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：2mA @ 15V漏源极电压 (Vdss)：30V漏极电流 (Id) - 最大值：-FET 类型：P 沟道电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1V @ 10nA不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8pF @ 10V（VGS）电阻 - RDS（开）：250 欧姆安装类型：表面贴装封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：TO-236AB功率 - 最大值：300mW
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