NTZD3156CT1G
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NTZD3156CT1G参数：MOSFET N/P-CH 20V SOT-563

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： ProductObsolescence07/Jul/2010
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：N和P沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：540mA，430mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：550毫欧@540mA，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：2.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：72pF@16V
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SOT-563