NTZD3155CT1G
PDF资料下载

NTZD3155CT1G参数：MOSFET N/P-CH 20V 430MA SOT-563

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：540mA，430mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 16V
功率 - 最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SOT-563