NTMD6N03R2G
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NTMD6N03R2G参数：MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： WireChange20/Aug/2008
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：32毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：950pF@24V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN