NTMD6N02R2G
PDF资料下载

NTMD6N02R2G参数：MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品变化通告： WireChange20/Aug/2008
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.92A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：35毫欧@6A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1100pF@16V
功率-最大值：730mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOICN