IXTY1R6N100D2
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IXTY1R6N100D2参数：MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：70
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 欧姆 @ 800mA，0V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：645pF @ 25V
功率 - 最大值：100W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）