IXTY1R4N100P
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IXTY1R4N100P参数：MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-252

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：75
系列：Polar™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：11 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：450pF @ 25V
功率 - 最大值：63W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）