IPI100N06S3-04
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IPI100N06S3-04参数：MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：4.4毫欧@80A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@150µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：314nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：14230pF@25V
功率-最大值：214W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：PG-TO262-3