IPI100N06S3-03
PDF资料下载

IPI100N06S3-03参数：MOSFET N-CH 55V 100A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation22/Jul/2010
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：100A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.3毫欧@80A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@230µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：480nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：21620pF@25V
功率-最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：PG-TO262-3