IPD60R1K4C6参数：MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters标准包装：2,500系列：CoolMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4欧姆@1.1A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@90µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.4nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@100V功率-最大值：28.4W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：PG-TO252-3
<abbr id="a8sy4"></abbr>
<center id="a8sy4"></center>
