IPD60R1K4C6
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IPD60R1K4C6参数：MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品培训模块： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
标准包装：2,500
系列：CoolMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4欧姆@1.1A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.5V@90µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.4nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：200pF@100V
功率-最大值：28.4W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3