FDA15N65
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FDA15N65参数：MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN

类别：分立半导体产品-FET - 单
PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012
标准包装：30
系列：UniFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：440毫欧@8A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：63nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3095pF@25V
功率-最大值：260W
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3PN