FDA15N65参数：MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN
类别：分立半导体产品-FET - 单PCNObsolescence： MultipleDevices27/Feb/2012标准包装：30系列：UniFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：16A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：440毫欧@8A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：63nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3095pF@25V功率-最大值：260W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3PN
<dl id="fk5u6"><pre id="fk5u6"></pre></dl>
