ZXMN3AM832TA
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ZXMN3AM832TA参数：MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
其它图纸： MLP832Side MLP832Bottom
PCNObsolescence： MLP322,832Pkg20/Dec/2010
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.9A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：120毫欧@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：190pF@25V
功率-最大值：1.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-MLP
供应商器件封装：8-MLP（3x2）