ZXMN2F30FHTA
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ZXMN2F30FHTA参数：MOSFET N-CHAN 20V SOT23-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它图纸： SOT-23Top
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：4.1A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：45毫欧@2.5A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：4.8nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：452pF@10V
功率-最大值：960mW
安装类型：表面贴装
封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3