ZXMN10A08G
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ZXMN10A08G参数：MOSFET N-CHAN 100V SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它图纸： SOT-223Footprint
标准包装：1,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：250毫欧@3.2A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：7.7nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：405pF@50V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223