ZXMHC3F381N8TC
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ZXMHC3F381N8TC参数：MOSFET COMPL H-BRIDGE 30V 8-SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013
标准包装：2,500
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N?通道和2个P通道（H桥）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：3.98A，3.36A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：33毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：430pF@15V
功率-最大值：870mW
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOP