XN0NE9200L
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XN0NE9200L参数：MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： XN0NE9200LPINLayout XN0NE9200L
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.2A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450毫欧@800mA，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.3V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：-
功率-最大值：600mW
安装类型：表面贴装
封装：SC-74A，SOT-753
供应商器件封装：迷你型5-G1