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VMO1600-02P参数：MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
类别：半导体模块-FET标准包装：2系列：PolarHT™包装：托盘FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：200V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1900A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 毫欧 @ 1600A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2900nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：底座安装封装：Y3-Li供应商器件封装：Y3-Li
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