VMM650-01F
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VMM650-01F参数：MOSFET MOD PHASE LEG 100V Y3-LI

类别：半导体模块-FET
标准包装：2
系列：HiPerFET™
包装：散装
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：680A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.2 毫欧 @ 500A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 30mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1440nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：-
安装类型：底座安装
封装：Y3-Li
供应商器件封装：Y3-Li