UM6J1NTN
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UM6J1NTN参数：MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品目录绘图： UM6KSeriesSOT-363
特色产品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个P沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：200mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.4欧姆@200mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：30pF@10V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：UMT6