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TPS1101DG4参数：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：75系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：15V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：2.3A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：90 毫欧 @ 2.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：791mW安装类型：表面贴装封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOIC
