TK39J60W,S1VQ
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TK39J60W,S1VQ参数：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs
标准包装：25
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：38.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@19.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@1.9mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4100pF@300V
功率-最大值：270W
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装：TO-3P（N）