TK31E60W,S1VX
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TK31E60W,S1VX参数：MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
特色产品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：30.8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：88毫欧@15.4A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@1.5mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：86nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3000pF@300V
功率-最大值：230W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220