TK100L60W,VQ
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TK100L60W,VQ参数：MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：100
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：600V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 5mA， 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：360nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15000pF @ 30V
功率 - 最大值：797W
安装类型：通孔
封装：TO-3PL
供应商器件封装：TO-3P（L）