SUP85N10-10-GE3
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SUP85N10-10-GE3参数：MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：85A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6550pF @ 25V
功率 - 最大值：3.75W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB