STI8N65M5
PDF资料下载

STI8N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STI8N65M5ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：600毫欧@3.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：15nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：690pF@100V
功率-最大值：70W
安装类型：通孔
封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
供应商器件封装：I2PAK