SSM6P49NU,LF
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SSM6P49NU,LF参数：MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：4A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V
功率 - 最大值：1W
安装类型：表面贴装
封装：6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：6-uDFN（2x2）