SSM6N35FE(TE85L,F)
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SSM6N35FE(TE85L,F)参数：MOSFET DUAL N-CH 20V .18A ES6

类别：分立半导体产品-FET - 阵列
产品培训模块： SmallSignalMOSFET
产品目录绘图： ES6Top ES6Side
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：180mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3欧姆@50mA，4V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：9.5pF@3V
功率-最大值：150mW
安装类型：表面贴装
封装：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：ES6（1.6x1.6）